Samsung vuole eliminare i caricabatterie

Samsung vuole eliminare i caricabatterie

Tra i dettagli sul nuovo GalaxyS6 trapela la funzionalità di ricarica wireless
Samsung vuole eliminare i caricabatterie FASTWEB S.p.A.

Ormai è partito il conto alla rovescia per l’evento di presentazione del 1 marzo al MWC per il Galaxy S6. Tra i dettagli sul nuovo device trapela la funzionalità di ricarica wireless.

La ricarica induttiva è stata inventata da Nikola Tesla nel 1891 ma è trascorso oltre un secolo prima di vederne un uso di massa visto che, solo da pochi anni, sono disponibili smartphone e accessori compatibili con la ricarica ad induzione magnetica. Oggi esistono almeno tre standard sviluppati da altrettanti gruppi (Wireless Power Consortium, Power Matters Alliance e Alliance for Wireless Power), e questo non permette di utilizzare un solo charging pad per tutti i dispositivi presenti e futuri. In un post Seho Park, ingegnere nell'IT e mobile di Samsung, si legge che il prossimo Galaxy S6 potrebbe offrire il supporto integrato alla tecnologia.

Samsung ha presentato  il primo accessorio per la ricarica wireless del Droid Charge negli Stati Uniti nel 2011. Pad e cover sono stati realizzati per i prodotti di punta, i Galaxy S4 e Note 3 nel 2013, e i Galaxy S5 e Note 4 nel 2014. Nel corso degli anni sono diminuiti sia il numero di componenti (da 80 a 50) sia le dimensioni, grazie all’uso di chip che svolgono più funzioni. La velocità di carica è inoltre aumentata del doppio. Nel 2014 sono stati realizzati chip che supportano standard multipli, quindi il 2015 sarà l’anno della ricarica wireless con la diffusione delle stazioni di ricarica nei luoghi pubblici.

Intanto Samsung ha ufficializzato l'avvio della produzione di massa di SoC (system on chip) con processo produttivo a 14 nanometri FinFET. L'azienda sudcoreana ha confermato le incessanti indiscrezioni delle scorse settimane, secondo cui era ormai pronta a realizzare una gamma di prodotti Exynos 7 Octa. Stando all'azienda sudcoreana, il processo produttivo a 14 nanometri FinFET permetterà di raggiungere nuovi livelli di efficienza, prestazioni e produttività. Rispetto ai 20 nanometri usati da Samsung per realizzare i SoC precedenti, l'azienda riuscirà a sfornare chip fino al 20% più veloci, il 35% più parsimoniosi e il 30% più potenti.

18 febbraio 2015 (aggiornato il 19 febbraio)

Fonte: webnews.it
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